特許

J-GLOBAL ID：200903009887757529

半導体装置の作製方法

発明者： 田中 幸一郎 ,  下村 明久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076099
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280302
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 干渉性の高いレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法において、位置制御された結晶粒を高いスループットで形成することを目的とする。【解決手段】干渉性の高いレーザを用い、該レーザを光源とするレーザ光を半導体膜に照射する際、光学系により故意に干渉縞を形成してレーザ光の一方向に周期的なエネルギー分布を形成する。前記半導体膜に対するレーザ光の相対的な1パルス毎の移動距離は、結晶粒の列の幅をw、前記周期的なエネルギー分布のピッチp、自然数mであるとき、mp±wとなり、位置制御された結晶粒を高いスループットで形成することが可能となる。また、レーザ光の入射角および強度を最適化することにより、前記レーザ光が1パルス照射された領域が全て結晶化することが可能となる。

請求項（抜粋）：

照射面またはその近傍において一方向に周期的なエネルギー分布を有するレーザ光を半導体膜に照射する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (123件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA24 ,  2H092RA05 ,  5C094AA07 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体処理方法及び半導体処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322709   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-003089
  
• レーザ照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-076108   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, 石川島播磨重工業株式会社
• 半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-110237   出願人：ソニー株式会社