特許

J-GLOBAL ID：200903032031563628

窒化物単結晶の製造方法及びその製造装置

発明者： 一ノ瀬 昇 ,  宮澤 信太郎 ,  馬淵 利明 ,  真田 和夫
出願人/特許権者： 学校法人早稲田大学 ,  株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  高橋 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211526
公開番号（公開出願番号）：特開2006-027976
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を、その有利な製造装置と共に提供する。【解決手段】 加熱炉1内の原料9及び種結晶7を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶7上の温度が原料9の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶7の温度を原料9の温度よりも高くする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

加熱炉内で窒化物単結晶用の原料を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、前記加熱炉内に設けられた種結晶上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法において、 前記加熱炉内の原料及び種結晶を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶上の温度が原料の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶の温度を原料の温度よりも高くすることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EG16 ,  4G077EG18 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA08 ,  4G077SA12 ,  5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F173AH22 ,  5F173AH41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094078   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 炭化ケイ素単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-354681   出願人：日新製鋼株式会社
• 窒化物単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094078   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-515359   出願人：ボダコフ,ユーリアレクサンドラビッチ, カルポフ,セルゲイユーリエビッチ, マカロフ,ユーリーニコラエビッチ, モホフ,エフゲニーニコラエビッチ, ラム,マルクグリゴーリエビッチ, ロエンコフ,アレクサンドルドミトリエビッチ, セガール,アレクサンドルソロモノビッチ
• 特開昭63-035492