特許
J-GLOBAL ID：200903009971482772
膜形成用組成物、シリカ系膜およびシリカ系膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大渕 美千栄
, 布施 行夫
, 井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-026088
公開番号（公開出願番号）：特開2005-213491
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 低比誘電率であり、さらに弾性率などの機械的強度に優れた層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 本発明に係る膜形成用組成物は、(A)下記一般式(1)で表されるシラン化合物と、(B)下記一般式(2)で表されるシラン化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、(C)下記一般式(4)で表されるシラン化合物を、(D)塩基性化合物の存在下で加水分解縮合した加水分解縮合物を含有する。 Si(OR)4 ・・・・・(1)(式中、R は1価の有機基を示す。) R1Si(OR2)3 ・・・・・(2)(式中、R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R2 は1価の有機基を示す。) R32Si(OR4)2 ・・・・・(3)(式中、R3は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R4 は1価の有機基を示す。) R53SiOR6 ・・・・・(4)(式中、R5は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R6 は水素原子または1価の有機基を示す。)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表されるシラン化合物と、
Si(OR)4 ・・・・・(1)
(式中、R は1価の有機基を示す。)
(B)下記一般式(2)で表されるシラン化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、
R1Si(OR2)3 ・・・・・(2)
(式中、R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R2 は1価の有機基を示す。)
R32Si(OR4)2 ・・・・・(3)
(式中、R3は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R4 は1価の有機基を示す。)
(C)下記一般式(4)で表されるシラン化合物
R53SiOR6 ・・・・・(4)
(式中、R5は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R6 は水素原子または1価の有機基を示す。)
を、(D)塩基性化合物の存在下で加水分解縮合した加水分解縮合物を含有する、膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C09D183/02
, B05D7/24
, C09D183/05
, C09D183/08
C09D183/02
, B05D7/24 302Y
, C09D183/05
, C09D183/08
4D075BB26Z
, 4D075CA02
, 4D075CA03
, 4D075CA23
, 4D075DA06
, 4D075DB13
, 4D075DB14
, 4D075DC19
, 4D075DC22
, 4D075EA07
, 4D075EB16
, 4D075EB43
, 4D075EB47
, 4D075EB56
, 4J038DL021
, 4J038DL041
, 4J038DL071
, 4J038GA12
, 4J038HA176
, 4J038HA186
, 4J038JA17
, 4J038JA25
, 4J038JA26
, 4J038JA55
, 4J038JB01
, 4J038JB03
, 4J038JB24
, 4J038JB29
, 4J038KA06
, 4J038KA09
, 4J038NA11
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J246AA02
, 4J246AA03
, 4J246AA18
, 4J246BA23X
, 4J246BA27X
, 4J246BA28X
, 4J246BB02X
, 4J246BB022
, 4J246CA01E
, 4J246CA018
, 4J246CA04E
, 4J246CA048
, 4J246CA13E
, 4J246CA138
, 4J246CA24X
, 4J246CA248
, 4J246FA081
, 4J246FA131
, 4J246FA421
, 4J246FA441
, 4J246FB221
, 4J246FB231
, 4J246FE18
, 4J246FE34
, 4J246GB07
, 4J246GB15
, 4J246GC01
, 4J246GC46
, 4J246GC53
, 4J246GD08
, 4J246HA63
