特許
J-GLOBAL ID：200903090918362937
シリカ系被膜及びその形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144807
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340219
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の製造において使用される平坦化膜や層間絶縁膜などとして有用な誘電率の低いシリカ系被膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】 ポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物焼成体からなる半導体素子用シリカ系被膜であり、ポリアルコキシシラン化合物を有機溶剤中で塩基性触媒により加水分解縮合して得た塗布液を、基板上に塗布し、乾燥したのち、350°C以上に加熱し、焼成することによって形成する。
請求項（抜粋）：
ポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物焼成体からなる半導体素子用シリカ系被膜。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01B 3/46
, H01L 21/768
H01L 21/316 G
, H01B 3/46 E
, H01L 21/90 K
