固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141155
公開番号（公開出願番号）：特開2003-333436
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】低消費電力の固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子は、2次元表面を画定する半導体基板と、前記半導体基板の受光領域に、正方行列の第1正方格子と前記第1正方格子の格子間位置に格子点を有する第2正方格子とのそれぞれの格子点に配置された多数個の光電変換素子と、各光電変換素子の間隙を縫うように垂直方向に配列された垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネル上方に形成され、各光電変換素子の間隙を縫うように水平方向に配列された複数の単層電極と、前記半導体基板上に、前記垂直転送チャネルのそれぞれに対応して、前記垂直転送チャネルの一端に形成されたゲート電極を有する信号処理手段とを有する。

請求項（抜粋）：

2次元表面を画定する半導体基板と、前記半導体基板の受光領域に、正方行列の第1正方格子と前記第1正方格子の格子間位置に格子点を有する第2正方格子とのそれぞれの格子点に配置された多数個の光電変換素子と、各光電変換素子の間隙を縫うように垂直方向に配列された垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネル上方に形成され、各光電変換素子の間隙を縫うように水平方向に配列された複数の単層電極と、前記半導体基板上に、前記垂直転送チャネルのそれぞれに対応して、前記垂直転送チャネルの一端に形成されたゲート電極を有する信号処理手段とを有する固体撮像素子。

IPC (2件)：

H04N 5/335 , H01L 27/148

FI (2件)：

H04N 5/335 U , H01L 27/14 B

Fターム (29件)：

4M118AA01 , 4M118AA04 , 4M118AB01 , 4M118BA13 , 4M118CA04 , 4M118CA20 , 4M118DA03 , 4M118DA12 , 4M118DB08 , 4M118DD04 , 4M118DD10 , 4M118DD12 , 4M118DD20 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 4M118FA35 , 4M118GB02 , 4M118GB11 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024BX01 , 5C024CY42 , 5C024CY47 , 5C024GY03 , 5C024HX01 , 5C024HX58

引用特許：

審査官引用 (11件)

固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-288732 出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-269309 出願人：日本電気株式会社
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-162918 出願人：株式会社東芝

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