特許
J-GLOBAL ID:200903009983267540
半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野口 繁雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-232551
公開番号(公開出願番号):特開2004-072017
出願日: 2002年08月09日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】半導体素子の発熱に起因する半導体集積回路装置の温度上昇を低減する。【解決手段】多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層(領域C参照)とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部33,35,37を備えている(領域A,E,F参照)。領域Aにおいて、完全空乏型SOIトランジスタのゲート動作により発生した熱は、コンタクト層19、メタル配線層M1、ビア層21、メタル配線層M2に伝導され、さらに熱伝導部33を介して最上層のメタル配線層M6まで伝導され、絶縁層17の上面側から放熱される。これにより、半導体集積回路装置の温度上昇を低減することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板又はSOI基板からなる支持基板上に形成された半導体素子と、支持基板上の絶縁膜中に形成された多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、
多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部を備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (7件):
H01L21/3205
, H01L21/76
, H01L21/762
, H01L21/82
, H01L21/822
, H01L27/04
, H01L29/786
FI (8件):
H01L21/88 S
, H01L27/04 H
, H01L21/88 Z
, H01L21/82 B
, H01L21/82 W
, H01L21/76 L
, H01L21/76 D
, H01L29/78 623Z
Fターム (30件):
5F032AA01
, 5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032CA17
, 5F033GG03
, 5F033XX22
, 5F038BH16
, 5F038CD10
, 5F038EZ14
, 5F038EZ20
, 5F064AA05
, 5F064BB07
, 5F064CC06
, 5F064DD19
, 5F064DD26
, 5F064EE06
, 5F064EE23
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE48
, 5F064HH12
, 5F110AA23
, 5F110BB03
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE09
, 5F110EE50
, 5F110FF02
, 5F110NN62
引用特許: