特許

J-GLOBAL ID：200903009993032410

金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム

発明者： 神力 博 ,  杉浦 正仁
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 大川 晃
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087502
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326223
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なうことができる金属酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 金属酸化膜の形成方法において、被処理体Wの表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて非晶質状態の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程と、前記金属酸化膜が形成された被処理体を活性酸素雰囲気下にて前記金属酸化膜の結晶化温度以下の状態に所定の時間維持して改質を行った後に結晶化温度以上に昇温することにより前記金属酸化膜中に含まれる有機不純物を脱離させつつ前記金属酸化膜を結晶化させる結晶化工程とを有するように構成する。これにより、改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なう。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの成膜装置と、熱処理装置と、この成膜装置と熱処理装置との間で被処理体を真空雰囲気下で搬送可能に構成された搬送装置とをそれぞれ備えた処理システムにおいて、被処理体に金属酸化膜を形成する方法であって、所定の真空雰囲気下の前記成膜装置内で被処理体上に金属酸化膜を成膜する工程と、所定の真空雰囲気下の前記熱処理装置内で前記成膜された金属酸化膜を熱処理する工程と、を備え、前記熱処理工程が、前記金属酸化膜の結晶化温度よりも低い第1の温度で、かつ、紫外線照射下で熱処理する第1熱処理工程と、更に第1の温度よりも高く、かつ前記金属酸化膜の結晶化温度以上である第2の温度で熱処理する第2熱処理工程とからなり、この第1及び第2熱処理工程が、同一の前記熱処理装置内で行われることを特徴とする金属酸化膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-283022
  
• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-149982   出願人：株式会社東芝
• 成膜・改質集合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130258   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体素子のキャパシタ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-223983   出願人：三星電子株式会社