特許
J-GLOBAL ID:200903010012515350

ナフサ水素化脱硫のための選択的触媒

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河備 健二
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-550458
公開番号(公開出願番号):特表2009-523597
出願日: 2007年01月16日
公開日(公表日): 2009年06月25日
要約:
本発明は、ナフサの水素化脱硫触媒、前記触媒の調製方法、および前記触媒を用いるナフサの水素化脱硫方法に関する。より詳しくは、触媒は、Co/Mo金属水素添加成分を、特定の細孔径分布および少なくとも1種の有機添加剤を有するシリカ担体上に担持して含む。触媒は、FCCナフサを水素化脱硫するのに用いられた場合には、高い水素化脱硫活性および最小のオレフィン飽和を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ナフサの水素化脱硫(HDS)触媒を作製する方法であって、 (i)シリカ基準でシリカ含有量少なくとも85重量%を有し、かつ細孔容積0.6cc/g〜2.0cc/gおよびメジアン細孔径150Å〜2000Åを有するシリカ担体を、(a)コバルト塩の水溶液、(b)モリブデン塩の水溶液、および(c)少なくとも1種の有機添加剤で含浸して、触媒前駆体を生成する工程であって、 前記有機添加剤は、少なくとも2個の水酸基および炭素原子2〜20個を含む化合物、並びにこれらの化合物の(ポリ)エーテルからなる群から選択される少なくとも1種の化合物を含む工程; (ii)前記触媒前駆体を温度350°C未満で乾燥して、乾燥触媒前駆体を生成する工程;および (iii)任意に、前記乾燥触媒前駆体を硫化する工程(但し、硫化またはHDSに使用する前に、前記乾燥触媒前駆体または触媒を焼成しない) を含むことを特徴とする方法。
IPC (7件):
B01J 31/34 ,  B01J 35/10 ,  B01J 37/20 ,  B01J 37/02 ,  B01J 23/94 ,  C10G 45/08 ,  C10G 45/06
FI (7件):
B01J31/34 M ,  B01J35/10 301B ,  B01J37/20 ,  B01J37/02 101C ,  B01J23/94 M ,  C10G45/08 A ,  C10G45/06 A
Fターム (53件):
4G169AA03 ,  4G169AA05 ,  4G169AA08 ,  4G169AA10 ,  4G169AA12 ,  4G169BA02A ,  4G169BA02B ,  4G169BA21A ,  4G169BA21B ,  4G169BA21C ,  4G169BB04B ,  4G169BC59A ,  4G169BC59B ,  4G169BC67A ,  4G169BC67B ,  4G169BE02B ,  4G169BE02C ,  4G169BE06B ,  4G169BE06C ,  4G169BE07A ,  4G169BE07C ,  4G169BE08A ,  4G169BE08B ,  4G169BE08C ,  4G169BE14A ,  4G169BE14B ,  4G169BE14C ,  4G169CC02 ,  4G169CC04 ,  4G169EA02Y ,  4G169EC02Y ,  4G169EC07X ,  4G169EC07Y ,  4G169EC08X ,  4G169EC09X ,  4G169EC09Y ,  4G169EC15X ,  4G169EC15Y ,  4G169EC16X ,  4G169EC17X ,  4G169ED03 ,  4G169FA01 ,  4G169FB14 ,  4G169FB50 ,  4G169FB57 ,  4G169FB67 ,  4G169FB78 ,  4G169FC03 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  4G169GA10 ,  4H029CA00 ,  4H029DA00
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6,602,405号明細書
  • 米国特許第5,985,136号明細書
  • 米国特許第6,013,598号明細書
審査官引用 (5件)
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