半導体装置の半製品およびその製造方法、半導体装置およびその製造方法、ならびに電子装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松永宣行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276175
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111880
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】半導体装置の電気的な特性を向上させるための、半導体装置の半製品およびその製造方法、電気的な特性が向上された半導体装置およびその製造方法、ならびにそのような半導体装置を含む電子装置を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体装置の半製品(10)は、基板(12)と、該基板上の少なくとも一部に直接または間接的に形成された半導体層(14)と、該半導体層上に形成された、電気的絶縁のための絶縁層(16)と、窒素含有領域(18)であって前記半導体層(14)と前記絶縁層(30)との界面またはその近傍、前記絶縁層中および前記絶縁層上の少なくともいずれかに形成された窒素含有領域(18)とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上の少なくとも一部に直接または間接的に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された、電気的絶縁のための絶縁層と、窒素含有領域であって前記半導体層と前記絶縁層との界面またはその近傍、前記絶縁層中および前記絶縁層上の少なくともいずれかに形成された窒素含有領域とを含む、半導体装置の半製品。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 617T , H01L21/20 , H01L29/78 618G , H01L29/78 627G , H01L29/78 617U

Fターム (61件)：

5F052AA02 , 5F052BA04 , 5F052BA07 , 5F052BA12 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB03 , 5F052EA02 , 5F052EA03 , 5F052EA06 , 5F052EA15 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF26 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP35 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (4件)

酸窒化膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-046902 出願人：松下電器産業株式会社
多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-181378 出願人：三洋電機株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-364027 出願人：富士通株式会社

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