特許
J-GLOBAL ID：200903010114440885
3族窒化物半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331485
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167737
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】3族窒化物半導体をベースとした同一基板で多色発光を可能とすること【構成】サファイア基板1上に、順次、500 ÅのAlN のバッファ層2、SiドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、Siドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N の高キャリア濃度n+ 層4、Zn,Si ドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N の発光層5、Mgドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N のp層6が形成。n+ 層3の上には、GaAsから成るバッファ層10、AlzGa1-zAsのn層11、AlzGa1-zAsのp層12が形成。p層6、n+ 層3の上にNi電極7、電極8、p層12の上にAuZn/Au 電極9が形成。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成る層を有する半導体素子と、3族窒化物半導体の層の上にエピタキシャル成長により形成された少なくとも3族砒化物半導体から成る層か、あるいは3族燐化物半導体から成る層を有する1個もしくは複数の半導体素子とを有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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