特許

J-GLOBAL ID：200903010127324515

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 青合 利明 ,  佐藤 健一郎 ,  児玉 邦彦
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-111277
公開番号（公開出願番号）：特開2009-175757
出願日： 2009年04月30日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光(波長193nm)を使用するミクロフォトファブリケ-ションにあって、十分な感度及び解像力を有し、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られるポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定の構造の繰り返し構造単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により、炭素数2以上のフッ素置換された直鎖状アルキル基を有するスルホン酸を発生する特定のスルホニウム塩化合物、及びフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で示される繰り返し構造単位、及び、下記一 般式(II)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する下記一般式(I')で表される化合物、及びフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/28 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/28 ,  H01L21/30 502R

Fターム (46件)：

2H125AF14P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF27P ,  2H125AF35P ,  2H125AF36P ,  2H125AF37P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AN64P ,  2H125AN65P ,  2H125AN82P ,  2H125AN86P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM21R ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BA55R ,  4J100BA58R ,  4J100BA59R ,  4J100BB01R ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC23R ,  4J100BC49R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• ポジ型感光性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-112196   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-023499   出願人：日本ゼオン株式会社
• レジスト溶液およびその調製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-034900   出願人：日本ゼオン株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-060057   出願人：住友化学工業株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-315265   出願人：住友化学工業株式会社