特許
J-GLOBAL ID：200903010183059654

半導体装置

発明者：
都築 幸夫

都築 幸夫 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203590
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017701
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】小型化と低コスト化を実現することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1におけるN-ドリフト層3の表層部にセル毎のP型ベース領域5が形成されるとともに、P型ベース領域5での表層部にN+ソース領域10が形成され、さらに、P型ベース領域5の一部領域およびソース領域10の一部領域に対しゲート絶縁膜6を介してゲート電極7a,7bが配置されるとともに、P型ベース領域5の一部領域およびソース領域10の一部領域と接するソース電極8が設けられている。セル毎のP型ベース領域5の間において半導体基板1の上面にドリフト層3が露出しており、ソース電極8とショットキー接触してボディダイオード13を形成している。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1,29)における第1導電型のドリフト層(3,30)の表層部にセル毎の第2導電型のベース領域(5,31)が形成されるとともに、当該ベース領域(5,31)での表層部に第1導電型のソースまたはエミッタ領域(10,33)が形成され、さらに、ベース領域(5,31)の一部領域およびソースまたはエミッタ領域(10,33)の一部領域に対しゲート絶縁膜(6,35)を介してゲート電極(7a,7b,36)が配置されるとともに、ベース領域(5,31)の一部領域およびソースまたはエミッタ領域(10,33)の一部領域と接するソースまたはエミッタ電極(8,37)が設けられたパワーMOSトランジスタであって、セル毎のベース領域(5,31)の間において半導体基板(1,29)の上面にドリフト層(3,30)を露出させ、露出させたドリフト層(3,30)とソースまたはエミッタ電極(8,37)をショットキー接触させてボディダイオード(13,40)を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/872
FI (7件)：
H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/48 P
Fターム (24件)：
4M104AA01 ,  4M104CC03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F140AA00 ,  5F140AA17 ,  5F140AA25 ,  5F140AB05 ,  5F140AB06 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140AC24 ,  5F140BD19 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ26 ,  5F140BJ30 ,  5F140CB07
引用特許：
審査官引用 (9件)
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