特許
J-GLOBAL ID：200903010212040976

プラズマ処理装置

発明者：
輿水 地塩

輿水 地塩 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210556
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041280
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ発生部の内壁がイオンによりスパッタされないプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本発明によれば、プラズマ処理装置、特にダウンフローアッシング装置において、プラズマ発生部の外壁周縁部に設けられた少なくとも一対の電極間に生じる電界方向に対して、略垂直方向に磁界方向を生じるように少なくとも一対の磁石を設けた。このため、プラズマ発生部内でプラズマとともに発生した電子は、E×Bドリフトを起こして、電極間で生じる電界の方向と磁石間で生じる磁界の方向の略垂直方向に流れるようになり、電子と略同一方向に流れるイオンが、プラズマ発生部の内壁に衝突してスパッタすることがなくなる。
請求項（抜粋）：
処理室内に被処理体を載置する載置台を備えるとともに、処理室の上部にプラズマを発生するプラズマ発生室を備え、そのプラズマ発生室の少なくともプラズマ発生部は略管状の誘電体から構成され、前記プラズマ発生部を囲むように設置された電極に所定の高周波電力を印加して、前記プラズマ発生室内に導入された所定の処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマを前記処理室内に導入することによって、前記載置台上の被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記電極に所定の高周波電力を印加した際に発生する電界の方向に対して、略垂直方向に磁界の方向が形成されるように、前記プラズマ発生部を囲むように磁石を配置したことを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/16 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 H ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/16 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/30 572 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-300882   出願人：日本真空技術株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-013830   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平4-237123
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審査官引用 (6件)
  • 特開平4-237123
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-300882   出願人：日本真空技術株式会社
  • 特開平3-232224
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