特許
J-GLOBAL ID：200903010270870199

ドライエッチング方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010683
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221074
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 ブランケットCVDタングステン層のエッチバックにより、平坦性よく接続孔を埋め込むドライエッチング方法を提供する。【構成】 接続孔6を含む基板上全面に高融点金属層5をブランケットCVDで形成し、フッ化カルボニル(COF2 )ガスでエッチバックする。硫化カルボニル(COS)を用いてもよい。CO+ によるイオンモードのエッチングを併用する。【効果】 過剰のFラジカルに基づくマイクロローディング効果を防止でき、異常浸食のないエッチバックが可能となる。またイオウの堆積とエッチングとの競合反応を利用して、平滑性の高いエッチバック表面が得られる。上述のガスにF系ガスを加え、混合比を制御した2段階エッチングを施すことにより、高速のエッチバックも可能である。これら効果により、高信頼性のコンタクトプラグによる多層配線構造が実現できる。
請求項（抜粋）：
高融点金属層のエッチバックを行うドライエッチング方法において、分子内にカルボニル基とフッ素原子を有するフッ化カルボニル系化合物を含むエッチングガスを用いてエッチバックを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213
FI (3件)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 D
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開昭52-116155
  • ドライエッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-035742   出願人：ソニー株式会社
  • 特公昭47-012595
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