特許
J-GLOBAL ID：200903086980003865

半導体装置

発明者：
長洲 正浩

長洲 正浩 について

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小林 秀男

小林 秀男 について

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坂野 順一

坂野 順一 について

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森 睦宏

森 睦宏 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-212262
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049337
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】IGBTモジュールの損失を低減する。【解決手段】モジュールのリーク電流が増加する低電圧側の第一の電圧とこれより高電圧側でリーク電流が増加する第二の電圧を持ち、電源電圧をこれら二つの増加電圧の間に設定する。【効果】モジュールの損失が低減でき、これにより、インバータ装置の小型化が可能となる。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲートバイポーラトランジスタとダイオードが逆並列に接続される並列回路を有し、前記並列回路に阻止方向電圧を印加したとき、リーク電流が増加する第1の電圧値と、リーク電流が増加し前記第1の電圧値よりも大きな第2の電圧値を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861
FI (5件)：
H01L 29/78 655 A ,  H01L 21/322 L ,  H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/91 J
引用特許：
審査官引用 (3件)

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