特許
J-GLOBAL ID：200903010365098108
半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104327
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294491
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 表面に段差を有さず、n側電極とp側電極とを同一平面上に形成することにより、ウェーハ・プロセスが簡単で、応用範囲の広い半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に堆積したn型窒化物系半導体層とp型窒化物系半導体層の積層構造体のp型半導体層の一部分にn型半導体層まで貫通するn型領域を設けることにより、p側電極とn側電極とを同一平面上に形成することができる。さらに、このようなn型領域の周囲に高抵抗領域を形成することによって、n型領域とp型窒化物系半導体との間で生ずる漏れ電流を効果的に抑制することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に堆積された少なくとも1層の第1導電型の窒化物系半導体の層と、前記第1導電型の窒化物系半導体の層の上に堆積された少なくとも1層の第2導電型の窒化物系半導体の層と、により構成された積層構造体を有し、前記積層構造体の表面の一部から選択的に第1導電型のドーパントを導入することにより前記第2導電型の窒化物系半導体の層の一部分の導電型が反転されている第1導電型の領域であって、前記積層構造体の表面から前記第1導電型の窒化物系半導体の層まで至る第1導電型の領域と、前記第1導電型の領域の表面に接続された第1の電極と、前記第2導電型の窒化物系半導体の表面に接続された第2の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
