特許
J-GLOBAL ID：200903039084164894
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250540
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115880
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 MOVPE成長で発光素子のダブルヘテロ接合に用いることが可能な低抵抗のp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供する。【構成】 窒素原料としてアンモニアを用いた気相成長法で、p型不純物であるMgをドープした窒化ガリウム系半導体を堆積した後、冷却時において600°C以上の温度域で冷却雰囲気をアンモニアから水素または窒素の混合雰囲気に切り替える。この方法によれば 600°C以上の温度域で冷却雰囲気を切り替えることによりアンモニアから供給される原子状水素の供給を回避できるので、水素パッシベーションが起きず低抵抗なp型窒化ガリウム系化合物半導体が得られる。
請求項（抜粋）：
p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長冷却時に、400°C以上の温度で水素化物ガスを含む雰囲気から水素または窒素の雰囲気に切り替えることを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
