特許
J-GLOBAL ID：200903010365236500

半導体装置

発明者：
坂居 正喜

坂居 正喜 について

, 
孔 小明

孔 小明 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-034506
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228849
出願日： 2004年02月12日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】ヒートシンクの放熱性を高め、ヒートシンクと放熱フィンとの接触の問題を解消し、パッケージの小型化を図る。【解決手段】金属薄板より形成されるリードフレーム11,12上にはパワーチップ21が搭載されている。ヒートシンク3は、パワーチップ21を搭載するリードフレーム11に直接設けられる。つまりヒートシンク3は、パワーチップ21に対してモールド樹脂5を介することなく設けられる。またヒートシンク3は、一の面のみが露出するようモールド樹脂5内に埋め込まれており、当該一の面にはネジ穴6が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップと、 各々が少なくとも1つの前記半導体チップと電気的に接続する複数のリードフレームと、 各々が少なくとも1つの前記半導体チップに対応して設けられ、放熱作用を有する複数のヒートシンクと、 前記半導体チップ、前記リードフレームおよび前記ヒートシンクに一体的に成形された絶縁性のモールドとを備える半導体装置であって、 それぞれの前記ヒートシンクは、一の面のみが露出するよう前記モールド内に埋め込まれており、前記一の面に窪み部を有している ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L23/34 ,  H01L21/56
FI (2件)：
H01L23/34 A ,  H01L21/56 T
Fターム (9件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BE01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061FA05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-016165   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
  • 電子制御装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-135727   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体パッケージ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-179897   出願人：セイコーエプソン株式会社
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