特許
J-GLOBAL ID:200903010418682737
光送信モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小川 勝男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-019554
公開番号(公開出願番号):特開2003-222826
出願日: 2002年01月29日
公開日(公表日): 2003年08月08日
要約:
【要約】【課題】変調器駆動回路で発生する熱の低減と、光変調器における熱変動の安定化を図って光電子集積回路(OEIC)化した光送信モジュールを提供する。【解決手段】OEICチップ5の変調器駆動回路部上面の放熱を促進するため、金属配線上に突起状の放熱板を形成する。光変調器と変調器駆動回路の間に存在する半導体基板の一部を薄くもしくは除去する。さらにOEICチップを搭載するキャリアは11,12の2つに分け、光変調器側に冷却用ペルチェ素子を接続する。これにより変調器駆動回路上面からの放熱促進と、光変調器および変調器駆動回路間の熱的分離と、ペルチェ素子による温度安定化とを達成する。【効果】光変調器の温度上昇ならびに温度変化を抑制し、特性劣化のない、光変調器と変調器駆動回路をOEICチップ化した光送信モジュールを作製できる。
請求項(抜粋):
電界効果型光変調器と変調器駆動回路部を同一半導体基板上に光電子集積回路化したICチップを搭載する光送信モジュールであって、前記ICチップは、前記電界効果型光変調器と前記変調器駆動回路部を接続する配線金属の直下の半導体基板の一部を薄くして形成した溝により隔てられた厚さの厚い第1半導体基板領域と第2半導体基板領域を有し、前記第1半導体基板領域側に前記電界効果型光変調器が形成され、前記第2半導体基板領域側に前記変調器駆動回路が形成され、前記ICチップの前記第1半導体基板領域側を搭載する第1キャリアと、前記ICチップの前記第2半導体基板領域側を搭載する第2キャリアとが隔てて配置され、冷却用ペルチェ素子が前記第1キャリアに接続され、さらに、前記ICチップ上の前記変調器駆動回路部には突起状の放熱板が形成されていることを特徴とする光送信モジュール。
Fターム (7件):
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079EB04
引用特許:
審査官引用 (9件)
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光モジュールの実装構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-302705
出願人:沖電気工業株式会社
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特開昭61-026277
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特開昭61-026278
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レーザダイオードモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-004924
出願人:三菱電機株式会社
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特開平3-245586
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特開昭64-029815
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光送信モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-106694
出願人:株式会社日立製作所
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特開昭61-041132
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光通信モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-198805
出願人:住友電気工業株式会社
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