アクティブマトリックス基板およびその製造方法

発明者： , , , , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252076
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250958
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 4回のフォトリソグラフィ操作で歩留が高く、特性の優れたアクティブマトリックス基板を得る。【解決手段】第1工程でガラス基板1上に走査線11と走査線から延びるゲート電極12とを形成し、第2工程でゲート絶縁層2と、アモルファスシリコン層21およびアモルファスシリコン層22からなる半導体層20とを積層し、TFT部Tfの半導体層20を形成し、第3工程で透明導電層40と金属層30とを積層し、信号線31と信号線から延びるドレイン電極32と画素電極41と画素電極から延びるソース電極33とを形成し、次いでチャネルギャップ23のn+アモルファスシリコン層22をエッチング除去し、第4工程で保護絶縁層3を形成し、画素電極41上の保護絶縁層3と金属層30とをエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上において、直交する走査線と信号線とに囲まれて前記走査線と前記信号線とを含む画素領域が配列され、当該領域にゲート電極と、前記ゲ-ト電極にゲート絶縁層を介して対向する島状の半導体層と、前記半導体層上にチャネルギャップを隔てて形成された一対のドレイン電極およびソース電極とからなる逆スタガ型薄膜トランジスタが形成され、前記走査線と前記信号線とに囲まれた光が透過する窓部に画素電極が形成され、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記信号線に、前記ソース電極は前記画素電極にそれぞれ接続されたアクティブマトリックス基板において、前記信号線、前記ソース電極、および前記ドレイン電極がいずれも透明導電層上に金属層を積層して形成され、前記ソース電極の下層の前記透明導電層が窓部の前記ゲート絶縁層上に延びて前記画素電極が形成されたことを特徴とするアクティブマトリックス基板。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1343 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/3205 , H01L 29/43 , H01L 21/336

FI (10件)：

G02F 1/1343 , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 616 U , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 N , H01L 21/88 R , H01L 29/62 G , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 616 V

Fターム (125件)：

2H092GA33 , 2H092GA35 , 2H092GA41 , 2H092GA43 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA30 , 2H092JA36 , 2H092JA44 , 2H092JA47 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092JB51 , 2H092JB64 , 2H092JB66 , 2H092JB68 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KA19 , 2H092KB04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092MA37 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG19 , 4M104HH03 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094FB12 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH38 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ14 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX16 , 5F033XX31 , 5F033XX32 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ18 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN42 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN54 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (10件)

液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-310999 出願人：京セラ株式会社
薄膜トランジスタの製造方法並びにこの方法によって形成された電気光学表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000397 出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-212015 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (12件)

液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-310999 出願人：京セラ株式会社
薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-169288 出願人：富士通株式会社
特開昭63-215078

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