特許
J-GLOBAL ID：200903010460990620
フォトディテクタおよびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-083431
公開番号（公開出願番号）：特開2008-193037
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】横型フォトダイオードの高速応答性を向上させる。【解決手段】半導体基板11の上方に、活性領域13,14と、互いに基板表面と平行な方向に並べて配置されたp型領域15およびn型領域16とを備えてなる横型構造のフォトディテクタ10において、前記活性領域13,14を、互いに基板厚さ方向に積層されてpn接合を構成するn層およびp層から形成するとともに、この活性領域の基板側に、基板側から活性領域側へのキャリア移動を阻止するバリア層12を設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に、活性領域と、互いに基板表面と平行な方向に並べて配置されたp型領域およびn型領域とを備えてなる横型構造のフォトディテクタにおいて、
前記活性領域が、互いに基板厚さ方向に積層されてpn接合を構成するp層およびn層から形成され、
この活性領域の基板側に、基板側から活性領域側へのキャリア移動を阻止するバリア層が形成されていることを特徴とするフォトディテクタ。
IPC (4件)：
H01L 31/10
, H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/762
H01L31/10 A
, H01L27/12 B
, H01L21/76 D
5F032AA91
, 5F032CA15
, 5F032CA23
, 5F032DA33
, 5F032DA71
, 5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MB02
, 5F049NA03
, 5F049PA10
, 5F049QA11
, 5F049SS03
, 5F049SS07
