半導体光センサ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-281609
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119713
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】迷光の影響を低減した高性能の半導体光センサ装置を提供する。【解決手段】半導体光センサ装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜により分離されて形成された半導体層と、前記半導体層の表面近傍に形成された第1のフォトダイオードと、前記半導体層の前記第1のフォトダイオードの下方に形成された第2のフォトダイオードと、前記半導体層に形成された、前記第1及び第2のフォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜により分離されて形成された半導体層と、前記半導体層の表面近傍に形成された第1のフォトダイオードと、前記半導体層の前記第1のフォトダイオードの下方に形成された第2のフォトダイオードと、前記半導体層に形成された、前記第1及び第2のフォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路と、を有することを特徴とする半導体光センサ装置。

IPC (3件)：

H01L31/10 , G01J1/02 , H01L27/146

FI (3件)：

H01L31/10 A , G01J1/02 S , H01L27/14 A

Fターム (32件)：

2G065AB04 , 2G065BA09 , 2G065BA32 , 2G065BB25 , 2G065BC02 , 2G065CA08 , 2G065DA20 , 4M118AB04 , 4M118AB10 , 4M118BA02 , 4M118CA02 , 4M118CA22 , 4M118CA25 , 4M118CA27 , 4M118CA32 , 4M118FC09 , 4M118FC14 , 4M118FC15 , 4M118FC18 , 4M118FC20 , 4M118GB03 , 4M118GB11 , 4M118GB15 , 5F049MA01 , 5F049MB03 , 5F049NA04 , 5F049NA10 , 5F049QA03 , 5F049QA07 , 5F049QA15 , 5F049RA06 , 5F049SS01

引用特許：

審査官引用 (21件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-331630 出願人：株式会社デンソー
特開昭55-017461
特開昭55-017461

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