半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-157045
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347296
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】エッチバックプロセスを経ずして,平坦化特性に優れた絶縁膜層を形成し得る層間絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】被処理体に層間絶縁膜層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって,層間絶縁膜層を形成される被処理体が配置された真空紫外光CVD装置の真空処理室内に,原料ガスとしてオクタメチルシクロテトラシロキサンを供給し,真空処理室の上部に具備された真空紫外光光源から真空処理室内に載置された前記被処理体に,真空紫外光を照射させて層間絶縁膜層を成長させる工程を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理体に層間絶縁膜層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって;前記層間絶縁膜層を形成される被処理体が配置された真空紫外光CVD装置の真空処理室内に,原料ガスとしてオクタメチルシクロテトラシロキサンを供給し,前記真空処理室の上部に具備された真空紫外光光源から前記真空処理室内に載置された前記被処理体に,真空紫外光を照射させて前記層間絶縁膜層を成長させる工程を含むことを特徴とする,半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/48 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/48 , H01L 21/312 C , H01L 21/90 P , H01L 21/90 K

Fターム (24件)：

4K030AA09 , 4K030CA04 , 4K030FA08 , 4K030KA28 , 4K030KA36 , 4K030LA02 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 5F033HH04 , 5F033HH19 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS14 , 5F033SS15 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F058AC03 , 5F058AF01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (7件)

真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-260358 出願人：宮崎沖電気株式会社, 有限会社宮崎マシンデザイン, 沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-348405 出願人：ソニー株式会社
特表平5-500885

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