特許
J-GLOBAL ID：200903010518052102

半導体装置およびその製造方法

発明者：
徳永 和朗

徳永 和朗 について

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有働 勉

有働 勉 について

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橋本 尚

橋本 尚 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について

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株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-053565
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266029
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】バイポーラトランジスタの特性を向上させる技術を提供する。【解決手段】多結晶シリコン膜9の開口部OA1の底部から露出した窒化シリコン膜7をオーバーエッチングし、多結晶シリコン膜9を窒化シリコン膜7の端部から突出させた後、開口部OA1中にコレクタ領域、ベース領域およびエミッタ領域となる半導体領域を形成する際、ベース領域の下部および上部に、それぞれ炭素を含有した半導体領域(i-SiGeC23およびCapSiC27)を形成する。また、ベース領域上のCapSiC27は、多結晶シリコン膜9の突出部の裏面から下方向に成長する多結晶SiGe30が、p-SiGe25と接触(接合)した後に形成する。その結果、ベース領域中の不純物の拡散が炭素を含有した半導体領域によって抑えられ、また、多結晶SiGe30の下部に高抵抗の炭素を含有した半導体領域が形成されず、素子の特性が良くなる。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
(a)(a1)半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、(a2)第1開口部であって、前記絶縁膜中の第2開口部上に形成され、前記第2開口部より小さい第1開口部を有し、(a3)前記第2開口部上から突出した突出部の裏面が前記半導体基板と対向している半導体膜と、 (b)前記半導体基板の上部の前記第2開口部内に前記半導体基板側から順に形成された第1導電型の第1半導体領域、前記第1導電型と逆導電型である第2導電型の第2半導体領域および前記第1導電型の第3半導体領域と、 (c)前記突出部の裏面下に形成され、前記第2半導体領域と接続された第4半導体領域と、を有し (d)前記第3半導体領域の下方領域には炭素が含まれており、前記炭素は、前記第2半導体領域と前記4半導体領域との接続領域以外の領域に含まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737
FI (2件)：
H01L29/72 H ,  H01L29/72 S
Fターム (17件)：
5F003BA27 ,  5F003BB01 ,  5F003BB04 ,  5F003BB05 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BE07 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH99 ,  5F003BM01 ,  5F003BP33 ,  5F003BP34 ,  5F003BP95 ,  5F003BS04 ,  5F003BS06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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