特許

J-GLOBAL ID：200903001935555835

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 橋本 尚 ,  三上 耕司 ,  有働 勉 ,  近藤 将夫 ,  大植 栄司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092551
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289834
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 バイポーラトランジスタの特性を向上させる。【解決手段】 エミッタ開口部14の側面に酸化処理によって酸化シリコン膜からなる絶縁膜17を形成した後、窒化シリコン膜11をアンダーカットされるように除去することで形成された開口内にSiGeからなるエピタキシャル層19を選択成長するようにした。

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体基板に窒化シリコン膜を堆積する工程、(b)前記窒化シリコン膜上にバイポーラトランジスタのベース電極形成用のシリコン膜を堆積する工程、(c)前記ベース電極形成用のシリコン膜上に第1酸化シリコン膜を堆積する工程、(d)前記第1酸化シリコン膜およびベース電極形成用のシリコン膜に前記窒化シリコン膜に達するような開口部を形成する工程、(e)前記半導体基板に酸化処理を施すことにより、前記開口部から露出する前記ベース電極形成用のシリコン膜の側面に第2酸化シリコン膜を形成する工程、(f)前記窒化シリコン膜にウェットエッチング処理を施すことにより、前記開口部内において、前記窒化シリコン膜の側面が前記ベース電極形成用のシリコン膜の側面よりも後退するように、前記窒化シリコン膜を等方的にエッチング除去する工程、(g)前記開口部から露出する半導体基板上にベース領域形成用のエピタキシャル層を選択的に形成する工程。

IPC (8件)：

H01L 29/732 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 29/737

FI (6件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/72 S ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72 H

Fターム (90件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD09 ,  4M104DD10 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD84 ,  4M104FF06 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH15 ,  5F003AZ03 ,  5F003BA27 ,  5F003BA96 ,  5F003BB01 ,  5F003BB02 ,  5F003BB04 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC01 ,  5F003BC02 ,  5F003BE07 ,  5F003BF06 ,  5F003BF90 ,  5F003BG06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH93 ,  5F003BJ15 ,  5F003BM01 ,  5F003BP12 ,  5F003BP21 ,  5F003BP24 ,  5F003BP33 ,  5F003BP48 ,  5F003BP94 ,  5F003BP96 ,  5F003BS04 ,  5F003BS05 ,  5F033HH04 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH33 ,  5F033MM07 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX09 ,  5F048AA10 ,  5F048AC07 ,  5F048BA16 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG05 ,  5F048CA04 ,  5F048CA07 ,  5F048CA14 ,  5F048CA15 ,  5F048DA25 ,  5F082BA05 ,  5F082BA35 ,  5F082BC03 ,  5F082CA01 ,  5F082DA03 ,  5F082EA14 ,  5F082EA24 ,  5F082EA33 ,  5F082GA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

• バイポーラトランジスタとそれを用いた半導体装置、および半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-233834   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-058416
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-119513   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-107420   出願人：日本電気株式会社
• バイポーラトランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-006116   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-044223   出願人：株式会社日立製作所