半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林茂 , 和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-168846
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010098
出願日： 2007年06月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

【課題】エッチングの終了を時間管理する場合よりも精度良くエッチングできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、SiC基板1の表面上に導電膜2を形成する工程と、導電膜2とSiC基板1を反応させて、導電膜2の材料がSiC基板1に拡散したNiSi層3、SiC基板1の珪素により珪化したNi2Si層4、グラファイト5および球状炭素6を生成する工程と、グラファイト5、球状炭素6およびNi2Si層4を、珪素と比較して炭素と結合し易い雰囲気中でエッチングするエッチング工程とを含む。更に、エッチング工程中に放出される炭素放出量がピークを超えて、かつ、所定値以下になった場合にエッチング工程を終了する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板の表面上に電極部材膜を形成する工程と、前記電極部材膜と前記炭化珪素基板を反応させて、電極部材が前記炭化珪素基板に拡散した拡散層、前記炭化珪素基板の珪素により珪化した電極部材膜および炭素系副産物を生成する工程と、前記炭素系副産物および前記珪化した電極部材膜を、前記珪素と比較して炭素と結合し易い雰囲気中でエッチングするエッチング工程とを含み、前記エッチング工程中に放出される炭素放出量がピークを超えて、かつ、所定値以下になった場合に前記エッチング工程を終了することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/28

FI (3件)：

H01L21/302 103 , H01L21/28 301B , H01L21/28 A

Fターム (22件)：

4M104AA03 , 4M104BB21 , 4M104CC01 , 4M104DD21 , 4M104DD23 , 4M104DD84 , 4M104FF13 , 4M104HH08 , 5F004AA06 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004CB02 , 5F004CB03 , 5F004CB04 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004DB15 , 5F004EA10

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-377299 出願人：松下電器産業株式会社
ワイドバンド半導体のオーミック接続形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-175739 出願人：株式会社デンソー, ユニバーシテイ・オブ・ニユーキヤツスル
半導体製造装置の処理終点検知器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-282274 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (2件)

半導体製造装置の処理終点検知器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-282274 出願人：株式会社日立製作所
炭化珪素半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-154266 出願人：株式会社デンソー

引用文献：

出願人引用 (1件)

Niオーミックコンタクトの電極密度性向上

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