特許

J-GLOBAL ID：200903010527714150

熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換素子

発明者： 首藤 直樹 ,  桜田 新哉 ,  近藤 成仁 ,  常岡 治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348400
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116746
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 本発明は、無次元性能指数ZTの大きな熱電変換材料、およびこれを用いた熱電変換素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、組成式(Tia1Zrb1Hfc1)xCoySb100-x-y(0 請求項（抜粋）：

組成式(Tia1Zrb1Hfc1)xCoySb100-x-y(0 IPC (5件)：

H01L35/18 ,  C01B19/00 ,  C22C30/06 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00

FI (5件)：

H01L35/18 ,  C01B19/00 Z ,  C22C30/06 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱電材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-213419   出願人：旭化成株式会社
• 熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-400601   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (10件)

• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF HALH-HEUSLER PHASE:ErNi1-xCuxSb,YNi1-xCuxSb AND ZrxHfyTizNiSn
• Bandgap Features and Thermoelectric Properties of Ti-Based Half-Heusler Alloys
• Thermoelectric Properties Of Bi-Doped Half-Heusler Alloys
• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF Sb-DOPING IN THE TiNiSn1-xSbx HALF-HEUSLER SYSTEM
• Thermoelectric properties of semimetallic (Zr,Hf)CoSb half-Heusler phases
• Effect of Sb doping on the thermoelectric properties of Ti-based half-Heusler compounds,TiNiSn1-xSbx
• Effects of partial substitution of Ni by Pd on the thermoelectric properties of ZrNiSn-based
• Thermoelectric properties of ZrNiSn-based half-Heusler compounds by solid state reaction method
• Electronic and Thermoelectric Properties of Half-Heusler Alloys
• Synthesis and Thermoelectric Properties of ZrNiSn-based Semi-Heusler Compound