素子間配線形成法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019742
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158093
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】極微細素子の集積回路の配線形成法において、カーボンナノチューブにより微細構造を自己組織化的に接続する新規な配線形成法を提供する。【解決手段】基板上に形成された2個以上複数の微細素子の間を電気的に結合する素子間配線形成法であって、微細素子(1)上に、カーボンナノチューブ(3)を選択的に成長させる触媒微粒子(2)を堆積し、炭化水素ガスの触媒分解による化学気相成長法によって、触媒微粒子(2)間にカーボンナノチューブ(3)を自己組織化的に成長させることにより微細素子(1)間に配線を形成する方法とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された2個以上の凸型の形状を有する微細素子の間を電気的に結合する素子間配線形成法であって、上記微細素子上に、カーボンナノチューブを選択的に成長させる触媒微粒子を堆積し、炭化水素ガスの触媒分解による化学気相成長法によって、上記触媒微粒子間にカーボンナノチューブを自己組織化的に成長させることにより、上記微細素子間に配線を形成することを特徴とする素子間配線形成法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 , B01J 23/745 , B01J 37/16 , C01B 31/02 101 , C23C 16/26 , H01L 21/205 , H01L 21/3205

FI (7件)：

H01L 21/285 C , B01J 37/16 , C01B 31/02 101 F , C23C 16/26 , H01L 21/205 , H01L 21/88 B , B01J 23/74 301 M

Fターム (61件)：

4G046CA02 , 4G046CB03 , 4G046CB09 , 4G046CC06 , 4G046CC08 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BB02B , 4G069BC29A , 4G069BC66A , 4G069BC66B , 4G069BC67A , 4G069BC67B , 4G069BC68A , 4G069CB35 , 4G069CD10 , 4G069DA06 , 4G069EA08 , 4G069FA01 , 4G069FA04 , 4G069FB02 , 4G069FB15 , 4G069FB29 , 4G069FB43 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA17 , 4K030JA14 , 4K030JA15 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB04 , 4M104BB36 , 4M104DD21 , 4M104DD24 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD46 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104FF40 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH00 , 5F033HH03 , 5F033HH15 , 5F033HH36 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP08 , 5F033QQ73 , 5F033RR30 , 5F045AA03 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045CB10

引用特許：

審査官引用 (3件)

炭素質ファイバーの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028087 出願人：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
パターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-247135 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
ナノスケール導体アセンブリとその製造方法、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、及びディスプレイ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-216032 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (2件)

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