特許
J-GLOBAL ID:200903010536279661

配線基板及びその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-298783
公開番号(公開出願番号):特開2007-109858
出願日: 2005年10月13日
公開日(公表日): 2007年04月26日
要約:
【課題】比較的容易な方法で、セラミックス基板への密着性が高く、1A以上の電流を信頼性よく流すことが可能な配線基板及びその作製方法を提供する。【解決手段】配線基板は、セラミックス基板1の表面に密着層2が形成され、その密着層2上に2層のCu層3が形成されたものであって、密着層2が乾式めっきによって形成されたTi、NiあるいはTiを主成分とする材料からなる層厚200nm以下の層であり、Cu層3が、密着層2上に乾式めっきによって作製された層厚500nm以下の第1Cu層3aと、その第1Cu層3a上に湿式めっきによって作製された層厚3μm以上の第2Cu層3bからなるものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
セラミックス基板の表面に密着層が形成され、その密着層上に2層のCu層が形成された配線基板であって、上記密着層が乾式めっきによって形成されたTi、NiあるいはTiを主成分とする材料からなる層厚200nm以下の層であり、上記Cu層が、密着層上に乾式めっきによって作製された層厚500nm以下の第1Cu層と、その第1Cu層上に湿式めっきによって作製された層厚3μm以上の第2Cu層からなることを特徴とする配線基板。
IPC (6件):
H01L 23/13 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/08
FI (8件):
H01L23/12 C ,  H01L23/12 D ,  H01L23/12 Q ,  H05K1/09 C ,  H05K3/24 A ,  H05K3/38 C ,  H05K3/38 A ,  H05K3/08 D
Fターム (38件):
4E351AA07 ,  4E351AA17 ,  4E351BB01 ,  4E351BB32 ,  4E351BB33 ,  4E351BB38 ,  4E351CC02 ,  4E351CC06 ,  4E351DD04 ,  4E351DD11 ,  4E351DD19 ,  4E351DD21 ,  4E351GG01 ,  4E351GG06 ,  4E351GG11 ,  5E339AB06 ,  5E339BC02 ,  5E339BE12 ,  5E339DD03 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343AA36 ,  5E343BB16 ,  5E343BB17 ,  5E343BB24 ,  5E343BB35 ,  5E343BB44 ,  5E343BB52 ,  5E343BB71 ,  5E343DD22 ,  5E343DD24 ,  5E343DD32 ,  5E343DD75 ,  5E343EE36 ,  5E343ER33 ,  5E343GG02 ,  5E343GG04 ,  5E343GG13
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 特許第3488551号公報
  • 銅配線基板及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-371940   出願人:株式会社フロンテック
  • 配線板の製造法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-323024   出願人:日立化成工業株式会社, 日立エーアイシー株式会社
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