特許
J-GLOBAL ID:200903010538840999
GaN系緑色発光ダイオード駆動装置及び光伝送装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
中島 淳 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-361168
公開番号(公開出願番号):特開2003-163377
出願日: 2001年11月27日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】 GaN系緑色発光ダイオードの立ち下がり特性を向上させて、GaN系緑色発光ダイオードを高速駆動させる。【解決手段】 バイアス電流の低レベルを従来に比べて大きく(10mA)すると共に、バイアス電流にピーキングを行う。これにより、立ち下がり時間tfは6.6nsecになり、従来に比べて大幅に短縮することができる。
請求項(抜粋):
低レベルがゼロレベルより所定値大きいパルス状のバイアス電流を出力するバイアス電流出力手段と、前記バイアス電流出力手段から出力されたバイアス電流の立ち上がりを高レベルより高くすると共に、前記バイアス電流の立ち下がりを低レベルより低くするピーキングを行ってGaN系緑色発光ダイオードに供給するピーキング手段と、を備えたGaN系緑色発光ダイオード駆動装置。
IPC (6件):
H01L 33/00
, H04B 10/04
, H04B 10/06
, H04B 10/14
, H04B 10/26
, H04B 10/28
FI (2件):
H01L 33/00 J
, H04B 9/00 Y
Fターム (12件):
5F041AA02
, 5F041BB03
, 5F041BB22
, 5F041BB24
, 5F041BB26
, 5F041BB34
, 5F041CA40
, 5F041EE01
, 5F041FF14
, 5K002AA01
, 5K002BA13
, 5K002DA05
引用特許:
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