特許
J-GLOBAL ID：200903024396788006

窒化物系半導体発光素子及び窒化物系半導体基板

発明者：
野村 康彦

野村 康彦 について

, 
畑 雅幸

畑 雅幸 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096126
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284736
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 高速動作可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN基板1上に、窒化物半導体層が形成されてなる窒化物系半導体発光素子において、前記窒化物系半導体基板に含まれるClの濃度が3×1015cm-3以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとGaとNを含有する窒化物系半導体基板上に、窒化物半導体層が形成されてなる窒化物系半導体発光素子において、前記窒化物系半導体基板に含まれるClの濃度が3×1015cm-3以下であることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (26件)：
5F041AA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045BB04 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DB02 ,  5F073BA06 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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