特許
J-GLOBAL ID：200903010539048113
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175243
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074607
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 GaInNAsを活性層とする半導体レーザ装置において、クラッド層から活性層へのキャリアの注入を余分なエネルギー障壁なしに行うことができ、かつ、活性層へ注入されたキャリアを効果的に閉じ込めることができ、かつ、低電流・長寿命を実現できるように、ダブルヘテロ接合を構成する。【解決手段】 p型のクラッド層がAlGaAsから成り、n型のクラッド層がAlGaInPから成り、各層のAlのIII族比x(0≦x≦1)が0.05以下である構成とした。
請求項（抜粋）：
誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、前記活性層がGaInNAsから成る層を含み、前記クラッド層のうちでp型の導電型を示す層がAlx1Ga1-x1Asから成り、前記クラッド層のうちでn型の導電型を示す層がAlx2InyGa1-x2-yPから成り、前記半導体レーザ装置を構成する各層のAlのIII族比x1,x2(0≦x1,x2≦1)が0.05以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
引用文献：
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