半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238577
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094708
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】深い不純物準位を有する半導体材料を使用しつつ、室温から高温までの温度範囲で動作特性が安定な半導体装置を提供する。【構成】ドープ層とノンドープ層とを交互に積層して構成したものであり、(a)半絶縁性の基板100と、(b)実質的に不純物が添加されていないダイヤモンド半導体材料から成るノンドープ層1101 〜110n+1 と、(c)ノンドープ層1101 〜110n+1 に挟まれるように形成され、不純物としてBが添加されたダイヤモンド半導体材料から成る薄いドープ層1201 〜120n と、から構成される。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド半導体材料から成り、実質的に不純物が添加されていない第1のノンドープ層と、前記第1のノンドープ層の一方の表面に形成された、ダイヤモンド半導体材料から成り、不純物が添加され、単体では室温で不純物の50%以上が活性化しない、3nm以下の厚さを有するドープ層と、前記第1のノンドープ側とは反対側の前記ドープ層の表面に形成された、ダイヤモンド半導体材料からなり、実質的に不純物が添加されていない第2のノンドープ層と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/12 , C30B 29/04

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-253622
特開平4-280622
特開平2-299273

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