特許
J-GLOBAL ID：200903010703862781

基板の熱処理方法および熱処理装置

発明者：
楠田 達文

楠田 達文 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293665
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209054
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 ガラス基板上のシリコン膜を十分に均一に熱処理することが可能な熱処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 熱処理室65内には、熱拡散板73と加熱プレート74とがこの順で配設されている。加熱プレート74は、ガラス基板Wを摂氏200度乃至摂氏400度に予備加熱するためのものである。予備加熱されたガラス基板Wは、キセノンフラッシュランプ69の閃光照射により熱処理される。閃光照射することで、ガラス基板W上の非晶質シリコン膜は均一に加熱され、その結果、多結晶化される。
請求項（抜粋）：
基板に光を照射することにより基板を熱処理する熱処理方法において、表面上にシリコン膜が形成された基板を熱処理室に搬入する基板搬入工程と、前記熱処理室内に搬入された前記基板を予備加熱する予備加熱工程と、前記処理室内の前記基板があらかじめ設定した予備加熱温度まで昇温した後に、前記基板に対して閃光を照射することにより、予備加熱された前記基板を処理温度まで昇温させるフラッシュ加熱工程と、前記熱処理室内から前記基板を搬出する基板搬出工程と、を備えたことを特徴とする基板の熱処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/26 G ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F
Fターム (27件)：
5F052AA11 ,  5F052AA18 ,  5F052AA25 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052EA06 ,  5F052FA05 ,  5F052FA19 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP11 ,  5F110PP33
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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