特許
J-GLOBAL ID:200903010718961522

半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-276315
公開番号(公開出願番号):特開2006-121062
出願日: 2005年09月22日
公開日(公表日): 2006年05月11日
要約:
【課題】 半導体装置の製造を容易にすることを課題とする。また、コストを低減した半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、剥離層を除去した後に、基板と下地絶縁層が密着した領域を設けることで、下地絶縁層の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。従って、薄膜集積回路を含む半導体装置の製造を容易にすることができる。また、本発明は、シリコン基板以外の基板を用いて半導体装置を製造するため、大量の半導体装置を一度に形成することが可能となり、コストを低減した半導体装置を提供することができる。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
第1の基板上に剥離層を選択的に形成し、 前記第1の基板と前記剥離層上に第1の絶縁層を形成し、 前記第1の絶縁層上に少なくともソース領域とドレイン領域を含む薄膜トランジスタを形成し、 前記薄膜トランジスタ上に第2の絶縁層を形成し、 前記第1の基板の一部が露出するように、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層に第1の開口部を形成し、 前記薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域が露出するように、前記第2の絶縁層に第2の開口部を形成し、 前記第1の開口部と前記第2の開口部を充填するように第1の導電層を形成し、 前記剥離層が露出するように、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層に第3の開口部を形成し、 前記第3の開口部にエッチング剤を導入して前記剥離層を除去し、 前記第1の基板から前記薄膜トランジスタを含む積層体を剥離し、 前記第1の導電層と、第2の基板上に設けられた第2の導電層とが接するように、前記薄膜トランジスタを含む積層体と前記第2の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件):
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3件):
H01L27/12 B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 627D
Fターム (90件):
5B035AA04 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA08 ,  5B035CA23 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048DA25 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ22 ,  5F110QQ28
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 表示装置の作製方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-086457   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置およびその作製方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-431911   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 発光装置及びその作製方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-176571   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-033194   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所

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