レジスト・アッシング方法およびこれに用いるアッシング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-313356
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153483
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜上で有機レジスト・パターンをアッシングする際の、該有機低誘電体膜の侵食を防止する。【解決手段】有機低誘電体膜は通常用いられる有機レジスト材料に比べて熱重量分析における重量変化点やガラス転移点が高いので、この耐熱性の差を利用し、基板を室温以下に冷却しながらレジスト・アッシングを行う。これにより、下層側SiOx膜2/有機低誘電体膜3/上層側SiOx膜4の3層構造を有する層間絶縁膜5に接続孔7を開口した後、エッチング・マスクであった有機レジスト・パターンをアッシングする場合でもあっても、有機低誘電体膜3が加工断面から侵食されることがなく、接続孔7の異方性形状を維持できる。基板冷却によるアッシング速度の低下は、高密度プラズマと基板バイアスの併用で補償できる。

請求項（抜粋）：

膜厚方向の少なくとも一部に有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜上に形成された有機レジスト・パターンを、該有機低誘電体膜に対して選択比を確保しながら酸素系活性種を用いてアッシングするレジスト・アッシング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-192725
特開平2-226722
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-134780 出願人：富士通株式会社

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