特許

J-GLOBAL ID：200903010809755747

スタック電極を有する半導体装置及びその製造方法

発明者： 山本 一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-334833
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164828
出願日： 1998年11月25日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 スタック電極の外側のHSGの大きさをスタック電極の内側のHSGに比べて小さくすることができると共に、隣接するシリンダスタック電極間のショートを防ぐことができるスタック電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板3と、前記半導体基板3の上に形成されたアモルファスシリコンからなるスタック電極2と、前記スタック電極2の内側に形成される第1成長粒と、前記スタック電極の外側に形成される前記第1成長粒よりも小さい第2成長粒と、を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に形成されたアモルファスシリコンからなるスタック電極と、前記スタック電極の内側に形成される第1成長粒と、前記スタック電極の外側に形成される前記第1成長粒よりも小さい第2成長粒と、を有することを特徴とするスタック電極を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C

Fターム (14件)：

5F038AC03 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083GA22 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA33 ,  5F083JA47 ,  5F083PR05 ,  5F083PR33 ,  5F083PR39

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子の構造および半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-053933   出願人：日本電気株式会社
• 高集積DRAMセルキャパシタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-202274   出願人：三星電子株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324716   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-251511   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ