半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251511
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156476
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】キャパシタ下部電極に適用する多結晶シリコン膜の膜厚を、粒状シリコンの部分を含めて制御する。【解決手段】シリコン酸化膜50に形成された溝52の内面に沿うように非晶質シリコン膜を形成し、非晶質シリコン膜の表面にシリコン核づけおよび粒成長促進のための熱処理を施して、非晶質シリコン膜から粒状シリコン結晶76を粒成長させる。その後、多結晶シリコン膜77を形成する。さらにシリコン酸化膜50上面の多結晶シリコン膜77および粒状シリコン結晶76をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜77および粒状シリコン結晶76からなるDRAMの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体からなる基板または半導体層をその表面に有する基板と、前記基板の主面に形成されたMISFETと、前記MISFETのソースまたはドレインとして機能する半導体領域に電気的に接続された第1電極、前記第1電極に対向して形成された第2電極および前記第1、第2電極の間に挟まれた容量絶縁膜で構成される情報蓄積用容量素子とを有する半導体装置であって、前記第1電極は、粒状シリコンまたはその表面に粒状体を有する第3多結晶シリコン膜を有し、前記粒状シリコンまたは第3多結晶シリコン膜上に第4多結晶シリコン膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

Fターム (20件)：

5F083AD24 , 5F083AD62 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083MA02 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (9件)

半球形粒子シリコン上での窒化チタン(TiN)の気相成長法を用いた蓄積キャパシタ構造(STC構造)の半導体メモリ蓄積装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170434 出願人：マイクロン・セミコンダクター・インコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-154896 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-333372 出願人：株式会社日立製作所

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