特許
J-GLOBAL ID:200903010874577708
化学増幅系ポジ型レジスト
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-199273
公開番号(公開出願番号):特開2001-027809
出願日: 1999年07月13日
公開日(公表日): 2001年01月30日
要約:
【要約】【課題】t-BOC基を保護基とするポリヒドロキシスチレン樹脂をベース樹脂とする化学増幅系ポジ型レジストの解像性とドライエッチング耐性を向上する。【解決手段】少なくともt-BOC基を保護基とするポリヒドロキシスチレン樹脂のベース樹脂と光酸発生剤を含有する化学増幅系ポジ型レジストにおいて、フタル酸誘導体を可塑剤として添加する。
請求項(抜粋):
少なくともt-BOC基を保護基とするポリヒドロキシスチレン樹脂のベース樹脂と光酸発生剤を含有する化学増幅系ポジ型レジストにおいて、フタル酸誘導体を可塑剤として添加したことを特徴とする化学増幅系ポジ型レジスト。
IPC (3件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, H01L 21/30 502 R
Fターム (16件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA09
, 2H025AA11
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB56
, 2H025CC05
引用特許:
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