特許
J-GLOBAL ID：200903010921685441
高誘電率絶縁膜を有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008005
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率絶縁膜(High-K)を有する半導体装置において、薄い換算酸化膜厚(EOT)と平滑な表面のゲート絶縁膜を可能にする事を目的とする。【解決手段】 High-K膜の上界面と下界面どちらにも拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を2.4nm以上5.0nm以下の範囲にする必要がある。上界面もしくは下界面どちらか一方に拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を2.8nm以上5.0nm以下の範囲にする必要がある。上界面にも下界面どちらにも拡散防止膜がない場合には、物理膜厚を3.2nm以上5.0nm以下の範囲にする必要がある。また、High-K膜とSi基板界面には拡散防止膜としてのSi窒化膜が存在し、かつ、High-K膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、EOTが0.7nm以上で使用することにより、理想的な安定したEOTと低いリーク電流特性を実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された拡散防止機能を有する高誘電体Aからなる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された高誘電体Bからなる第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された拡散防止機能を有する高誘電体Cからなる第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えた半導体装置において、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜との総和からなる高誘電率絶縁膜の膜厚が2.4nm以上であることを特徴とする半導体装置。
Fターム (28件)：
5F140AA00
, 5F140AA24
, 5F140BA01
, 5F140BD01
, 5F140BD02
, 5F140BD05
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BD16
, 5F140BD17
, 5F140BE02
, 5F140BE08
, 5F140BE10
, 5F140BE16
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF10
, 5F140BF11
, 5F140BF15
, 5F140BF40
, 5F140BG24
, 5F140BG28
, 5F140BG30
, 5F140BG32
, 5F140BG44
, 5F140BG56
, 5F140CB01
