成膜装置

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：角田嘉宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387015
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180242
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】大容量の排気装置を必要とすることなく真空度を維持し、基材表面に効率的に反応を生じさせて成膜を行うことができる成膜装置を提供すること。【解決手段】真空容器2と、真空容器2に配設されたガス注入装置3と、排気装置4と、真空容器2内にプラズマを生成する高周波電界を生じさせるための電極機能を有する基材ホルダ5とを備えており、ガス注入装置3が、供給されるガスのうち所定方向の速度成分を持つガスを選別して真空容器2内に導くガスビーム噴出器14を有しており、上記所定方向が真空容器2内に取り付けられた基材Wの成膜対象面に向くようにガスビーム噴出器14が真空容器2に取り付けられており、このガスビーム噴出器14が、噴出ガスが基材Wの表面をスキャンし得るように揺動可能に構成されている。

請求項（抜粋）：

成膜用の真空容器と、該真空容器に配設されたガス注入装置と、排気装置とを備えており、上記ガス注入装置が、供給されるガスのうち所定方向の速度成分を持つガスを選別して真空容器内に導くガスビーム噴出器を有しており、上記所定方向が真空容器内に取り付けられた基材の成膜対象面に向くようにガスビーム噴出器が真空容器に取り付けられてなる成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 14/32 , B01J 19/08 , C23C 16/455 , H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/32 E , B01J 19/08 H , C23C 16/455 , H01L 21/203 Z

Fターム (37件)：

4G075AA03 , 4G075AA24 , 4G075AA42 , 4G075BA02 , 4G075BC03 , 4G075BD01 , 4G075BD14 , 4G075BD30 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075CA65 , 4G075DA01 , 4G075DA02 , 4G075EA05 , 4G075EB01 , 4G075EB41 , 4G075EC01 , 4G075EC13 , 4G075EC21 , 4G075ED15 , 4G075EE01 , 4G075FA20 , 4K029BA43 , 4K029CA04 , 4K029DA06 , 4K029DD02 , 4K029EA04 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 5F103AA02 , 5F103BB06 , 5F103DD30 , 5F103NN06 , 5F103RR06 , 5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気記録媒体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-334686 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭57-155375
特開昭57-155375

全件表示

前のページに戻る