特許
J-GLOBAL ID：200903010957649077

ガスシュラウド付HVOF溶射装置を使用するサーメット溶射方法

発明者：
川喜多 仁

川喜多 仁 について

, 
黒田 聖治

黒田 聖治 について

, 
石川 泰成

石川 泰成 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-063265
公開番号（公開出願番号）：特開2005-248288
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【目的】 ガスシュラウド高速フレーム溶射法を用いて、皮膜の形成時のサーメットの分解を防ぐとともに基材表面に緻密で低熱分解の少ないサーメット皮膜を形成する。【構成】 ガスシュラウド付HVOFを使用するサーメット溶射法において、皮膜形成材料である金属成分の軟化温度以上に加熱された金属粒子を溶射速度700m/s以上で基材表面に溶射する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
高速フレーム(HVOF)溶射法によりサーメット皮膜を形成する際に、不活性ガスの供給をもとなうガスシュラウド付設の溶射装置を用いて,サーメット金属成分の軟化温度以上に加熱された金属粒子を溶射速度700m/s以上で溶射することを特徴とするサーメット溶射方法。
IPC (2件)：
C23C4/12 ,  C23C4/06
FI (2件)：
C23C4/12 ,  C23C4/06
Fターム (11件)：
4K031AA02 ,  4K031AB02 ,  4K031AB08 ,  4K031AB09 ,  4K031CB15 ,  4K031CB21 ,  4K031CB22 ,  4K031CB45 ,  4K031DA01 ,  4K031EA10 ,  4K031EA12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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