特許
J-GLOBAL ID：200903011043163202
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350013
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151262
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 MRAMに関して読み出し原理と読み出し回路を提案する。【解決手段】 1回目の読み出しでは、1カラム内又は1ブロック内の並列接続された複数のTMR素子に読み出し電流を流し、イニシャルデータを検出する。この後、選択されたメモリセルに対して、試行データの書き込みが実行される。試行データの書き込みと同時又はこれに平行して、2回目の読み出しが行われる。2回目の読み出しでは、1カラム内又は1ブロック内の並列接続された複数のTMR素子に読み出し電流を流し、比較データを読み出す。続けて、イニシャルデータと比較データを比較し、選択されたメモリセルのデータ値を判断する。最後に、選択されたメモリセルに対して、再書き込みを行う。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果を利用してデータを記憶するメモリセルを有する磁気ランダムアクセスメモリの読み出し方法において、前記メモリセルに第1読み出し電流を流すステップと、前記メモリセルに対して予め決められた値を有する書き込みデータを書き込むステップと、前記書き込みデータが書き込まれた前記メモリセルに第2読み出し電流を流すステップと、前記第1及び第2読み出し電流の差を検出して、前記メモリセルのデータを判断するステップとを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの読み出し方法。
IPC (4件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 E
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083MA06
, 5F083MA19
