半導体装置及びこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及びこれを含む光ピックアップ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049431
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247329
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高周波電流発生回路を含み消費電力が少ない半導体装置及びこれを含む小型・軽量の光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】出力トランジスタ52のベースバイアス電圧は、エミッタ抵抗53で生ずる電圧をバイアス調整トランジスタ91へ帰還することにより自動調整させる。電圧制御発振回路120の発振周波数を電流変換回路130の外付抵抗175で決定し、電圧制御発振回路120の発振レベルをレベル調整回路140に設定電流を供給する電流変換回路150の外付抵抗180で決定する。電流変換回路150は、レベル調整回路に供給する電流と逆位相の電流を生成し、バイアス調整トランジスタ91のベースへ供給する。パワーセーブ回路200は、半導体レーザ82の動作電圧を検知して基準電源190の電圧と比較し、高周波電流発生回路210のON、OFFの操作を行う。

請求項（抜粋）：

半導体レーザの光量を制御する光量制御回路と、高周波電流を発生する高周波電流発生回路とを備え、前記光量制御回路から出力された制御電流と前記高周波電流発生回路から出力された前記高周波電流とを重畳して前記半導体レーザに供給することにより半導体レーザの戻り光に起因するノイズを低減する半導体装置において、前記高周波電流発生回路は、前記光量制御回路から供給される電流で高周波電流を生成する手段と、前記半導体レーザの動作電圧により前記高周波電流のバイアス電流を自動設定する手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G11B 7/125 , G11B 7/135

FI (2件)：

G11B 7/125 A , G11B 7/135 Z

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザ駆動制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-067081 出願人：株式会社東芝
特開平3-145171
特開昭61-127191

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