特許
J-GLOBAL ID：200903011072182984
Bi系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306241
公開番号（公開出願番号）：特開平11-139824
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：
【要約】【課題】 焼結により高Jcの高温相超電導体を製造するための仮焼粉を提供する。【解決手段】 全体組成が2223相と実質的に同じで、2212相結晶と、それ以外の酸化物との混晶からなるもので、DTA吸熱ピークが、860〜875°C並びに875〜890°Cのもの、あるいは、875〜890°Cのみのものを仮焼粉とする。
請求項（抜粋）：
Bi系酸化物高温2223相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼結体と実質的に同一であり、かつ、DTA吸熱ピークとして、860〜875°Cに頂点を持つ低温側吸熱ピークと、875〜890°Cに頂点を持つ高温側吸熱ピークとが表われることを特徴とするBi系高温相超電導体用の仮焼粉。
IPC (5件)：
C01G 29/00 ZAA
, C01G 1/00
, C04B 35/64
, H01B 12/00
, H01B 13/00 565
C01G 29/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01B 12/00
, H01B 13/00 565 A
, C04B 35/64 C
