特許
J-GLOBAL ID：200903011125381380
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-101545
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286246
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 封止材の下面、または素子の上面をプラズマ処理することにより、基材と封止材の間または素子と封止材の間の密着性を向上させ、素子信頼性の高い半導体装置を製造する技術を提供することができる。【解決手段】 プラズマ処理により、絶縁樹脂膜122の下面に付着した有機物が除去されて清浄化されるとともに、密着性に優れる表面に改質される。この結果、その下に圧着される基材140や半導体チップとの密着性が向上し、半導体装置の素子信頼性が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材と、
該基材上に設けられた素子と、
前記基材上に設けられ、前記素子を封止する封止材と、
を備え、
前記基材と前記封止材とが接し、
前記素子と前記封止材とが接し、
前記封止材の前記基材と接する側の面、または前記封止材の前記素子と接する側の面がプラズマ処理面であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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