特許
J-GLOBAL ID：200903092876829670
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-005221
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204720
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 スタックドパッケージでもCSP構造で、半導体チップを積層する方法が要求されている。【解決手段】 表面に所望の回路が形成されたウエハーの裏面に熱圧着シートを貼り付け、ダイシングすることにより形成された半導体チップ1が、配線層4が形成され、且つ、裏面に貫通孔11を通して配線層4と電気的に接続された実装用外部端子10を有する絶縁性基板3に、回路形成面を上にして搭載され、半導体チップ1の回路形成面上に、表面に回路形成されたウエハーの裏面に熱圧着シートを貼り付け、ダイシングすることにより形成された半導体チップ2が搭載され、半導体チップ1及び2と配線層4の電極部とがワイヤー8を用いて接続され、半導体チップ1、2及びワイヤー8が樹脂封止されている。
請求項（抜粋）：
表面に所望の回路が形成されたウエハーの裏面に第1の絶縁性接着層を形成し、ダイシングすることにより形成された第1の半導体チップが、表面に配線層及び裏面に貫通孔を通して上記配線層と電気的に接続された実装用外部端子を有する絶縁性基板に上記第1の絶縁性接着層を介して搭載され、且つ、上記第1の半導体チップの回路形成面上に、表面に回路形成されたウエハーの裏面に第2の絶縁性接着層を形成し、ダイシングすることにより形成された第2の半導体チップが上記第2の絶縁性接着層を介して搭載され、且つ、上記第1の半導体チップ及び第2の半導体チップと上記配線層の電極部とがワイヤーを用いて接続され、且つ、上記第1の半導体チップ、第2の半導体チップ及び上記ワイヤーが樹脂封止されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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