特許
J-GLOBAL ID：200903011250209158

半導体装置及びその製造方法

発明者：
田中 義典

田中 義典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024268
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222709
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト開口時にキャパシタの上部電極上のコンタクトの突き抜けが生じるのを防止する。【構成】 ビット線6等の下地パターンの上にシリコン酸化膜7が形成され、シリコン酸化膜7の上面とそれが有する開口部に円筒型キャパシタ9の下部電極93が形成されており、更にCPコンタクト35の直下に当たるシリコン酸化膜7の上面に帯状で円筒型のキャパシタダミーパターン33が形成される。そして、キャパシタダミーパターン33を覆う様にキャパシタ誘電膜10とキャパシタ上部電極11とが形成される。従って、他のコンタクト91,92を開口時において、CPコンタクト35が最悪キャパシタ上部電極11を突き抜けても、その突き抜けはキャパシタダミーパターン33までに止まり、下地パターンまで達することはない。
請求項（抜粋）：
下地パターンと、前記下地パターンを覆う様に形成され且つ開口部を有する下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜の上面上及び開口部内に形成された3次元構造のキャパシタと、前記キャパシタの上部電極及び前記下地絶縁膜の上面を覆うように形成された層間絶縁膜と、更に前記層間絶縁膜の上面を覆うように形成された別の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜と別の層間絶縁膜内に形成され且つ前記キャパシタの上部電極の上面をその底面とするビアホールと、前記ビアホール内を埋める金属層と、前記金属層及び別の層間絶縁膜の両上面に形成された配線層と、前記層間絶縁膜及び前記下地絶縁膜内に形成されたコンタクトとを、備えた半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768
FI (7件)：
H01L 27/10 681 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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