特許

J-GLOBAL ID：200903011274859773

シリサイド化された電極を有する半導体装置の製造方法

発明者： トム・スフラム ,  ジェイコブ・クリストファー・フッカー ,  マルクス・ヨハネス・ヘンリクス・ファン・ダル
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ,  コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301647
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123625
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 異なる仕事関数を有する2つの電極の形成を容易にする。【解決手段】 誘電体層及び第1導体を有する第1半導体構造と誘電体層及び第2導体を有する第2半導体構造とを含み、誘電体層に隣接する第1導体の部分が第2導体の対応する部分の仕事関数とは異なる仕事関数を有している半導体ボディーを備えた半導体装置の製造方法に関し、誘電体層が半導体ボディーに適用された後、金属層が誘電体層へ適用され、その後、シリコン層がこの金属層上へ堆積され、更に第1半導体構造の位置でこのシリコン層と金属層とが反応し、金属珪化物を形成し、2つの半導体構造のうちの一方の位置で、シリコン層以外の層、特に金属層をエッチングすることにより、異なる各仕事関数を有する導体のこれらの部分が形成され、加えて、更なる金属層がシリコン層にわたって適用され、第2トランジスタの位置にさらなる金属珪化物を形成するために使用される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

以下を含む、半導体ボディーを有する半導体装置の製造方法:

IPC (5件)：

H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

FI (4件)：

H01L29/58 G ,  H01L21/28 301S ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321F

Fターム (30件)：

4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BC05 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 欧州特許第1211729号
  

審査官引用 (5件)

• 相補MIS型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026662   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058612   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-331089   出願人：株式会社日立製作所
• シリコンゲルマニウムゲートを利用した半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-080765   出願人：三星電子株式会社
• 特許第6440851号