半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331089
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196467
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】半導体の不純物濃度に依らずに、複数の閾値を持つトランジスタを同一チップ上に形成する。【解決手段】ゲルマニュームの含有量の異なるシリコン・ゲルマニウム混晶で複数のゲート電極を構成して、異なる閾値を持つ複数の電界効果型トランジスタを同一チップ上に集積して半導体集積回路装置を構成する。

請求項（抜粋）：

第1ゲート絶縁膜上に第1組成の第1Si-Ge混晶ゲート電極が設けられた第1絶縁ゲート型電界効果半導体素子と、上記第1ゲート絶縁膜から離間された第2ゲート絶縁膜上に上記第1組成とは異なる第2組成の第2Si-Ge混晶ゲート電極が設けられた第2絶縁ゲート型電界効果半導体素子とが一つの基体上に設けられてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 27/08 102 C , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-045053
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-031203 出願人：日本電気株式会社
シリコン-ゲルマニウムゲートを持つトランジスタを得るための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-178749 出願人：フランステレコム

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